以下介绍几种目前的主流半导体材料以及加工工艺。2.1、主流半导体材料的介绍GaN有机半导体材料——90年代的热点之一是GaN材料，它的宽带隙（3.0~6.0V）使其具有制作高功率RF器件的潜力。1991年APAST中国代理商半导体是指常温下导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等ST中国代理商

（二）、P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。拓展资料：半导体特殊性：半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。。按照其制造技术，半导体市场由集成电路、光电器件、分立器件和传感器四大类产品构成。由于集成电路占半导体产品总体销售额的绝大多数，一般将集成电路产品粗略等同于半导体产品。ST中国代理商②Ⅲ-Ⅴ族：由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构，它们在应用方面仅次于Ge、Si，有很大的发展前途ST中国代理商

2.导电特性不同：P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。。③Ⅱ-Ⅵ族：Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。

ST中国代理商半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造源各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（B、C极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压，即硅管为0.6~0.7V，锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结ST中国代理商。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移zhidao作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。