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发布时间:2022-05-22 点击量:391
目前,由其制作的器件工作温度可达到600℃以上、抗辐照1&mes;106rad;小栅宽GaNHEMT器件分别在4GHz下,功率密度达到40W/mm;在8GHz,功率密度达到30W/mm;在18GHz,功率密度达到9.1W/mm;在40GHz,功率密度达到10.5W/mm;在80.5GHz,功率密度达到2.1W/mm,等。因此,宽禁带半导体技术已成为当今电子产业发展的新型动力。
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