1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。altera代理4月13日消息，近日，为了促进宽带隙（WBG）半导体技术的发展，IEEE电力电子学会（PELS）发布了宽带隙功率半导体（ITRW）的国际技术路线图altera代理2、半导体材料在21世纪的发展现状在21世纪，半导体材料的发展方向与目标就是满足人们日渐高涨的环保需求，开发出对人体健康与环境无害的半导体材料，并使之普及化。在当前，半导体材料市场上主要的主流材料为单晶硅和化合物半导体（包括有机半导体），以及将二者兼容的混合型半导体，与这些材料相对应的除了传统的大中小微型电子产品以外，还有目前兴起的太阳能光电池、LED节能灯等。。该路线图确定了宽带隙技术发展的关键趋势、设计挑战、潜在应用领域和未来应用预测。

2.2半导体材料制备工艺前面说到化合物半导体时谈到，可以利用兼容手段集两种半导体材料的优点生产出一种混合型半导体，那么所谓的兼容手段采用的是什么技术呢？半导体市场目前的主流工艺又是什么？近年来人们在半导体材料的制备中常常采用各种先进的半导体材料制备技术和工艺，如MOVPE、MOCVD、MOMBE、MBE、LPE、CVD、VCE

altera代理关键词：半导体材料历史发展兼容技术LED1、前言半导体的电阻率介于导体与半导体之间，而且在某个特定温度范围内，导体内部会随着温度的升高而增加电荷载流子的浓度，使得其电阻率下降（二）、P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。拓展资料：半导体特殊性：半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。。利用这一特性，半导体广泛的被应用于温度的测量，它的测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等70%的领域。半导体材料的价值还在于它的光学特性和电学特性都可以充分地应用于器件，【1】如大规模集成电路、无线电产品、国防军事产品以及近年来兴起的太阳能电池、LED照明等。

altera代理半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造源各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等差分对管差分对管也称孪生对管或一体化差分对管，它是将两只性能参数相同的晶体管封装在一起构成的电子器件，一般用在音频放大器或仪器、仪表中作差分输入放大管。差分对管有NPN型和PNP型两种结构。常见的国产NPN型差分对管有3DG06A~3DG06D等型号。PNP型差分对管有3CSG3、ECM1A等型号。。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结altera代理。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移zhidao作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。