随着半导体技术的不断发展，晶体管的运行速度更快，可靠性更高，成本也更低。1959年，随着能够将大量的晶体管及其它电子器件集成到一块硅片上的集成电路的发明，晶体管取得了新的突破。这些微芯片不仅使得晶体管的创新达到了新的高度，而且还推动了信息时代的发展。SAMSUNG三星代理浅谈半导体材料的发展与现状，半导体材料的使用使得大规模高密度的集成电路得以实现，它是信息时代数字化生活的“幕后功勋”。半导体的概念于20世纪初被考尼白格和维斯首次使用，随着半导体材料的不断开发与现代生活对光电等数字产品提出的更高要求，半导体领域发生了数次飞跃的发展SAMSUNG三星代理

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。。21世纪的今天是一个高速度、高需求的新时代，同时也是一个提倡节约能源，崇尚环保的时代，这无疑对半导体的开发与发展提出了更高的要求。本文主要回顾半导体材料的历史发展，并分析当今半导体材料的现状及制造工艺，小谈我国在这一领域的发展实情。第二代半导体材料是化合物半导体。化合物半导体是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓（GaN）等为代表，包括许多其它III-V族化合物半导体。这些化合物中，商业半导体器件中用得最多的是砷化镓（GaAs）和磷砷化镓（GaAsP），磷化铟（InP），砷铝化镓（GaAlAs）和磷镓化铟（InGaP）。其中以砷化镓技术较成熟，应用也较广。

SAMSUNG三星代理（四）按导电类型不同分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型带阻晶体管的电路图形符号及文字符号带阻晶体管目前尚无统一标准符号，在不同厂家的电子产品中电路图形符号及文字符号的标注方法也不一样。例如，日立、松下等公司的产品中常用字母“QR”来表示，东芝公司用字母“RN”来表示，飞利浦及NEC（日电）等公司用字母“Q”表示，还有的厂家用“IC”表示，国内电子产品中可以使用晶体管的文字符号，即用字母“V”或“VT”来表示。图5-12是不同厂家电子产品中带阻晶体管常用的电路图形符号。。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。

SAMSUNG三星代理所谓DIP双列直插式封装，是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路IC均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个SAMSUNG三星代理GaAs、InP等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等领域。但是GaAs、InP材料资源稀缺，价格昂贵，并且还有毒性，能污染环境，InP甚至被认为是可疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。